日本半导体巨头尔必达及其子公司秋田尔必达22日宣布，已开发出全球最薄的动态随机存储器(DRAM)，4块叠加厚度仅为0.8毫米。
超薄DRAM将有助于减少智能手机等移动设备的厚度，增大其容量。制造成本则和目前厚度1毫米的DRAM相同。
该DRAM将由秋田尔必达工厂生产，三季度开始出货。
作者：未知 发布时间：2011-06-23
日本半导体巨头尔必达及其子公司秋田尔必达22日宣布，已开发出全球最薄的动态随机存储器(DRAM)，4块叠加厚度仅为0.8毫米。
超薄DRAM将有助于减少智能手机等移动设备的厚度，增大其容量。制造成本则和目前厚度1毫米的DRAM相同。
该DRAM将由秋田尔必达工厂生产，三季度开始出货。
